BEHLKE

behlke二极管系列E

E 系列 快速恢复高压二极管组件 适用于 HTS 固态开关的续流二极管,搭配感性负载使用 软恢复特性 高峰值电流承受能力 极低电感 短恢复时间

behlke脉冲发生器系列D

D 系列 实验室脉冲发生器及原始设备制造商(OEM)脉冲发生器单元 脉冲发生器配置的高压开关 即插即用(无需额外调试) 无需外部组件 所有脉冲发生器均优化适配系统集成 实验室脉冲发生器均通过 CE 认证

behlke推挽系列—导通时间可变的交流推挽开关C9

C9 双向交流推挽开关,MOSFET + 碳化硅(SiC) 半桥配置的双向开关路径 特殊拓扑结构支持极性反转,无需更换开关接线柱 —— 不再需要继电器构成的复杂极性转换电路!

behlke推挽系列—导通时间可变的推挽开关C8

C8 高压开关,可变导通时间,推挽式,MOSFET + 碳化硅场效应管 • 半桥配置的两个开关 • 上升和下降时间相同 • 开关路径的被动互锁 • 无交叉电流 • 精确的方波脉冲 • 无需工作电阻 • 无需大容量储能电容器

behlke可变系列—导通时间可变的 MCT 晶闸管开关C7

C7 系列 可变导通时间、基于晶闸管 / MOS 控制晶闸管(Thyristor / MCT)技术的高压开关 核心特性 多功能高压开关,具备真正的继电器特性 导通时间可通过 TTL 信号控制,调节灵活 导通损耗低,能效表现优异 浪涌电流承载能力强,适配短时大电流冲击场景 关断能力达 200 安培,切换性能稳定 对高压瞬变的电压变化率(dv/dt)耐受性极佳,抗干扰能力突出

behlke可变系列—导通时间可变的 IGBT 开关C6

C6 系列 高电流变化率(di/dt)、可变导通时间的高压开关,采用 IGBT 技术 核心特性 • 多功能高压开关,具备真正的继电器特性 • 导通时间可通过 TTL 信号控制 • 导通损耗低 • 峰值电流能力极强 • 电流上升时间:4 纳秒~150 纳秒(取决于电流大小)

behlke可变系列—导通时间可变的交流开关C5

C5 系列 双向 / 交流电压、可变导通时间的高压开关,采用 MOSFET 技术 核心特性 • 多功能高压开关,具备真正的继电器特性 • 极性无关,无需换极即可适配不同极性电压 • 适用于振荡电路及通用射频(RF)应用场景 • 导通时间可通过 TTL 信号控制 • 抗过载和电压反向能力强 • 现提供 LC2 技术版本,具备极高的瞬态抗扰性

behlke可变系列—导通时间可变的碳化硅与沟槽场效应管开关C4

C4 系列 低导通电阻、可变导通时间的高压开关,采用碳化硅(SiC)及沟槽型 FET 技术 核心特性 • 借助碳化硅(SiC)或沟槽型 FET 技术,实现极低导通电阻 • 多功能高压开关,具备真正的继电器特性 • 导通时间可通过 TTL 信号控制 • 动态开关损耗低,导通损耗极低 • 适用于工业电力应用场景 • 抗过载和电压反向能力强 • 对高压瞬态的电压变化率(dv/dt)免疫力优异

behlke可变系列—导通时间可变的低电容开关C3

C3 系列 低耦合电容、可变导通时间的高压开关,采用 MOSFET 技术 核心特性 多功能高压开关,具备真正的继电器特性 导通时间可通过 TTL 信号控制 低耦合电容设计,简化电磁兼容性(EMC)处理并降低容性损耗 采用 LC2 技术,具备极高的瞬态抗扰性

behlke可变系列—导通时间可变的高 di/dt 开关C2

C2 系列 具有可变导通时间、高电流变化率(di/dt)的高压开关,采用 MOSFET 技术 ● 多功能高压开关,具备真正的继电器特性● 导通时间可通过 TTL 信号控制● 阻抗极低● 适用于中低频 “硬开关” 应用场景● 导通上升时间:5~15 纳秒● 关断上升时间:20~50 纳秒● 抗过载和电压反向能力强● 对高压瞬态的电压变化率(dv/dt)免疫力优异

behlke可变系列—导通时间可变的低功率通用开关C1

产品标识与类型:C1通态时间可变的高压开关,通用型,MOSFET 技术 产品特点: ● 多功能高性价比高压开关,具备真正的继电器特性 ● 通态时间可通过 TTL 信号控制 ● 转换时间快,动态开关损耗可忽略不计 ● 抗过载和抗电压反向能力强 ● 对高压瞬态干扰的 dv/dt 抗扰性极佳 ● 设计紧凑、重量轻便

behlke固定系列—导通时间固定的低电阻开关B4

产品标识与类型 :B4通态时间固定的高压开关,低导通电阻型,MOSFET 技术 产品特点 :● 采用沟槽场效应管(Trench-FET)技术的高压开关,导通电阻极低 ● 电磁兼容性极强 ● 即使在较高开关频率下,控制功率仍保持较低水平 ● 通态时间可选范围:100 ns 至 100 μs

behlke固定系列—导通时间固定的超快速开关B3

产品标识与类型: B3通态时间固定的高压开关,高 di/dt、超快速型,MOSFET 技术 产品特点: ● 导通上升时间极快的高压开关 ● 真正的栅极控制(非雪崩技术),在宽工作温度范围和负载条件下具备极高可靠性 ● 阻抗极低 ● 电磁兼容性极强 ● 通态时间可选范围:5 ns 至 1 μs ● 设计用于印刷电路板(PCB)安装

behlke固定系列—导通时间固定的高 di/dt 开关B2

产品标识与类型:B2 通态时间固定的高压开关,高 di/dt、低阻抗,MOSFET 技术

behlke固定系列—导通时间固定的低功率通用开关B1

产品标识与类型 :B1通态时间固定的高压开关,通用型,MOSFET 技术 产品特点 :● 适用于简单脉冲和放电应用的高性价比高压开关解决方案 ● 电磁兼容性极强 ● 导通和关断状态下完全无噪声 ● 高频下控制功率低 ● 可将型号对应的 100 至 300 ns 通态时间可选更改为 25 ns 至 100 μs 之间的任意其他值

behlke晶闸管A

产品标识与类型:A通态时间随电流变化的高压开关,晶闸管 / SCR 技术 产品特点:● 坚固经济的高压开关,适用于放电应用,且可与快速高压 FDA 续流二极管配合产生阻尼正弦振荡 ● 峰值电流能力强 ● 采用大量带独立栅极驱动的单个 SCR,实现极高 di/dt,且不影响可靠性和使用寿命 ● 抗过载能力极强 ● 可通过简单 TTL 触发脉冲(2-5 V)轻松点火 ● 体积小巧、重量轻便 ● 多种冷却选项可选

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