behlke可变系列—导通时间可变的高 di/dt 开关C2

MOSFET 技术 C2 中等频率下大电流、快速上升时间

C2 系列具有可变导通时间、高电流变化率（di/dt）的高压开关，采用 MOSFET 技术 ● 多功能高压开关，具备真正的继电器特性● 导通时间可通过 TTL 信号控制● 阻抗极低● 适用于中低频 “硬开关” 应用场景● 导通上升时间：5~15 纳秒● 关断上升时间：20~50 纳秒● 抗过载和电压反向能力强● 对高压瞬态的电压变化率（dv/dt）免疫力优异

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C2 系列

具有可变导通时间、高电流变化率（di/dt）的高压开关，采用 MOSFET 技术

● 多功能高压开关，具备真正的继电器特性● 导通时间可通过 TTL 信号控制● 阻抗极低● 适用于中低频 “硬开关” 应用场景● 导通上升时间：5~15 纳秒● 关断上升时间：20~50 纳秒● 抗过载和电压反向能力强● 对高压瞬态的电压变化率（dv/dt）免疫力优异

型号 [按尺寸排序]	描述 / 说明	优先库存类型 - 交货期短 ○ 仅按订单生产 × 过时型号 - 不用于新开发 ● 含扩展信息的 datasheet	尺寸 [mm³]	电压 [kV]	峰值电流 [A]	导通电阻 [Ω]	导通时间 [ns]
HTS 31-80	●	●	200×76×26	3	800	0.25	300…∞
HTS 61-40	●	●	200×76×26	6	400	1	300…∞
HTS 101-20	●		153×102×25	10	200	4	300…∞
HTS 31-160	●		225×175×40	3	1600	0.125	350…∞
HTS 61-80	●		225×175×40	6	800	0.5	350…∞
HTS 121-40	●		225×175×40	12	400	2	350…∞
HTS 31-240	●		250×225×42	3	2400	0.083	350…∞
HTS 61-120	●		250×225×42	6	1200	0.33	350…∞
HTS 91-80	●		250×225×42	9	800	0.75	350…∞
HTS 181-40	●		250×225×42	18	400	3	350…∞
HTS 31-320	●		372×200×45	3	3200	0.063	400…∞
HTS 61-160	●		372×200×45	6	1600	0.25	400…∞
HTS 121-80	●		372×200×45	12	800	1	400…∞
HTS 241-40	●		372×200×45	24	400	4	400…∞
HTS 181-200	按需求		372×250×45	18	2000	0.35	400…∞
HTS 361-100	按需求		372×250×45	36	1000	1.4	400…∞