behlke可变系列—导通时间可变的碳化硅与沟槽场效应管开关C4

MOSFET 技术、SiC 技术 C4 碳化硅（SiC）和沟槽 FET 技术，开通损耗极低

C4 系列低导通电阻、可变导通时间的高压开关，采用碳化硅（SiC）及沟槽型 FET 技术核心特性 • 借助碳化硅（SiC）或沟槽型 FET 技术，实现极低导通电阻 • 多功能高压开关，具备真正的继电器特性 • 导通时间可通过 TTL 信号控制 • 动态开关损耗低，导通损耗极低 • 适用于工业电力应用场景 • 抗过载和电压反向能力强 • 对高压瞬态的电压变化率（dv/dt）免疫力优异

马上咨询

客服电话 025-52115503

C4 系列

低导通电阻、可变导通时间的高压开关，采用碳化硅（SiC）及沟槽型 FET 技术

核心特性

借助碳化硅（SiC）或沟槽型 FET 技术，实现极低导通电阻
多功能高压开关，具备真正的继电器特性
导通时间可通过 TTL 信号控制
动态开关损耗低，导通损耗极低
适用于工业电力应用场景
抗过载和电压反向能力强
对高压瞬态的电压变化率（dv/dt）免疫力优异

应用说明一

BEHLKE 固态开关具备极快的上升和下降时间。若应用场景无需全功率开关速度，建议搭配使用限速选项 S-TT（上升和下降时间约减缓 50%）与输入低通滤波器选项 LP。限速选项有助于减少快速高压脉冲电路特有的高频问题（如自振荡、自重触发、振铃等），并整体简化电磁兼容性（EMC）设计。

应用说明二

快速固态开关对未钳位感性负载或过量布线电感产生的反向电流相对敏感。反向电流可能以不确定方式导通慢速的本征（寄生）FET 二极管，尤其在关断阶段伴随高关断电流时，可能导致开关灾难性损坏。因此，当开关连接感性负载或高感性布线时，建议始终搭配快速续流二极管网络（快速串联阻断二极管 + 并联快速续流二极管）使用。

以下仅列出部分产品型号，具体详情请咨询客服。

——碳化硅（SiC）LC2 技术开关系列

特性：坚固耐用、抗瞬态干扰，导通损耗极低，因极低导通电阻在多数场景下无需额外冷却措施

说明：按电压排序的开关型号表，标注库存类型（● 优先库存型 ○ 仅按订单生产 × 过时型号 - 不用于新开发 ● 含扩展信息的 datasheet），涵盖最大电压、峰值电流、峰值功率、导通电阻、导通时间、尺寸及图纸申请方式等参数。

开关型号	描述 / 说明	最大电压 [kV]	峰值电流 [A]	峰值功率 [MW]	导通电阻 [Ω]	导通时间 [ns]	尺寸 [mm³]
HTS 61-15-SiC	带内部控制单元的标准 DAP 外壳	6	150	0.9	0.24	120…∞	103×70×35
HTS 61-30-SiC	带内部控制单元的标准 DAP 外壳	6	300	1.8	0.12	120…∞	103×70×35
HTS 61-60-SiC	带内部控制单元的法兰外壳	6	600	3.6	0.06	120…∞	115×75×75
HTS 61-120-SiC	带内部控制单元的法兰外壳	6	1200	7.2	0.03	120…∞	175×75×75
HTS 121-15-SiC	带内部控制单元的标准 DAP 外壳	12	150	1.8	0.48	120…∞	103×70×35
HTS 121-30-SiC	带内部控制单元的标准 DAP 外壳	12	300	3.6	0.24	120…∞	103×70×35
HTS 121-60-SiC	带内部控制单元的法兰外壳	12	600	7.2	0.12	120…∞	115×75×75
HTS 121-120-SiC	带内部控制单元的法兰外壳	12	1200	14.4	0.06	120…∞	175×100×75
HTS 121-180-SiC	带内部或外部控制单元、集成 I-FWDN 的法兰外壳	12	1800	21.6	0.04	120…∞	240×150×80
HTS 121-360-SiC	带内部或外部控制单元、集成 I-FWDN 的法兰外壳	12	3600	43.2	0.02	120…∞	240×150×150
HTS 151-15-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	15	150	2.25	0.56	120…∞	175×75×56
HTS 151-30-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	15	300	4.5	0.28	120…∞	175×75×56
HTS 151-60-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	15	600	9	0.14	120…∞	125×125×75
HTS 151-120-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	15	1200	18	0.07	120…∞	175×125×75
HTS 151-180-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	15	1800	27	0.047	120…∞	240×125×80
HTS 151-360-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	15	3600	54	0.023	120…∞	240×125×150
HTS 201-15-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	20	150	3	0.8	150…∞	200×75×56
HTS 201-30-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	20	300	6	0.4	150…∞	200×75×56
HTS 201-60-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	20	600	12	0.2	150…∞	200×150×56
HTS 201-120-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	20	1200	24	0.1	150…∞	200×150×80
HTS 201-180-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	20	1800	36	0.067	150…∞	252×175×80
HTS 201-240-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	20	2400	48	0.05	150…∞	312×175×80
HTS 201-300-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	20	3000	60	0.04	150…∞	372×175×80
HTS 201-600-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	20	6000	120	0.02	150…∞	372×175×150
HTS 241-15-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	24	150	3.6	0.96	200…∞	252×75×56
HTS 241-30-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	24	300	7.2	0.48	200…∞	252×75×56
HTS 241-60-SiC	带内部或外部控制单元、含高压引线 / 汇流排 / 螺栓的法兰外壳	24	600	14.4	0.24	200…∞	252×175×56
HTS 241-120-SiC	带内部或外部控制单元、含大电流端子的法兰外壳	24	1200	28.8	0.12	200…∞	200×175×80

——沟槽型 FET 开关系列

特性：基于沟槽型 FET 技术，涵盖多电压等级，部分型号为优先库存型，部分为过时型号（不用于新开发）

型号（按电压排序）	描述 / 说明	最大电压 [kV]	峰值电流 [A]	峰值功率 [MW]	导通电阻 [Ω]	导通时间 [ns]	尺寸 [mm³]
HTS 051-120-B	● 沟槽型 FET	0.5	1200	0.6	0.01	150…∞	89×64×27
HTS 051-260-B	● 沟槽型 FET	0.5	2600	1.3	0.005	150…∞	89×64×27
HTS 31-12-B	● 沟槽型 FET	3	125	0.375	0.5	150…∞	89×64×27
HTS 31-125-B	● 沟槽型 FET	3.6	1250	4.5	0.06	300…∞	200×76×26
HTS 31-250-B	● 沟槽型 FET	3.6	2500	9	0.03	300…∞	252×200×45
HTS 31-375-B	● 沟槽型 FET	3.6	3750	13.5	0.02	350…∞	312×200×45
HTS 61-12-B	● 沟槽型 FET	6	125	0.75	1	150…∞	89×64×27
HTS 61-25-B	● 沟槽型 FET	6	250	1.5	0.5	180…∞	115×64×27
HTS 71-62-B	● 沟槽型 FET	7.2	625	4.5	0.24	300…∞	200×76×26
HTS 71-125-B	● 沟槽型 FET	7.2	1250	9	0.12	300…∞	252×200×45
HTS 71-187-B	● 沟槽型 FET	7.2	1875	13.5	0.08	350…∞	312×200×45
HTS 81-12-B	● 沟槽型 FET	8.4	125	1.05	1.4	150…∞	135×64×27
HTS 81-25-B	● 沟槽型 FET	8.4	250	2.1	0.7	180…∞	135×64×27
HTS 101-12-B	● 沟槽型 FET	10.8	125	1.35	1.8	200…∞	206×70×35
HTS 101-25-B	● 沟槽型 FET	10.8	250	2.7	0.9	250…∞	206×70×35
HTS 101-125-B	● 沟槽型 FET	10.8	1250	13.5	0.18	350…∞	312×200×45
HTS 121-30-B	● 沟槽型 FET	12	300	3.6	0.8	300…∞	153×102×25
HTS 141-62-B	● 沟槽型 FET	14.4	625	9	0.48	300…∞	252×200×45
HTS 151-12-B	● 沟槽型 FET	15	125	1.875	2.4	200…∞	212×70×35
HTS 151-25-B	● 沟槽型 FET	15	250	3.75	1.2	250…∞	212×70×35
HTS 181-12-B	● 沟槽型 FET	18	125	2.25	3	200…∞	263×70×35
HTS 181-25-B	● 沟槽型 FET	18	250	4.5	1.5	250…∞	263×70×35
HTS 211-12-B	● 沟槽型 FET	21.6	125	2.7	3.4	200…∞	263×70×35
HTS 211-25-B	● 沟槽型 FET	21.6	250	5.4	1.7	200…∞	263×70×35
HTS 211-62-B	● 沟槽型 FET	21.6	625	13.5	0.72	350…∞	312×200×45